- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPP200N25N3 G
دیتاشیت IPP200N25N3 G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPP200N25N3 G |
|---|---|
| حجم فایل | 75.05 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 11 |
IPP200N25N3 G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB200N25N3 G
- Power Dissipation (Pd): 300W
- Drain Source Voltage (Vdss): 250V
- Continuous Drain Current (Id): 64A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@270uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,64A
- Package: TO-263-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
